输出特性函数式为
输出特性曲线
iB=20uA： 随着vCE的增加，iC发生相应变化。
在输出特性的起始部分很陡，vCE略有增加时，iC增加很快。
当vCE超过约1V后，特性曲线变得比较平坦。
iB为不同值： 可得到一组输出特性曲线。
详细文字说明
输出特性是在基极电流iB一定的情况下，BJT的输出回路中（此处指集电极回路），集电极与发射极之间的电压vCE与集电极电流iC之间的关系曲线。
NPN型硅BJT的输出特性如图所示。由图可见，各条特性曲线的形状基本上是相同的，现取其中一条（例如iB=40uA）加以说明。
输出特性的起始部分很陡，vCE略有增加时，iC增加很快，这是由于在vCE很小时（约1V以下），集电结的反向电压很小，对到达基区的电子吸引力不够，这时受vCE的影响很大。vCE稍有增加，从基区到集电区的电子增加。故iC随vCE的增加而增加。当vCE超过某一数值（约1V）后，特性曲线变得比较平坦。这是由于vCE大于1V以后，集电结的电场已足够强，能使发射区扩散到基区的电子绝大部分都到达集电区，故vCE再增加，iC就增加不多了。改变iB的值，即可得到一组输出特性曲线。由式iC=biB可知，在vCE大于零点几伏以后，输出特性是一组间隔基本均匀，比较平坦的平行直线。
实际上，从共射极输出特性可以看出，特性比较平坦的部分随着vCE的增加略向上倾斜。这可解释如下：
由共射极电路可知，vCE= vCB+ vBE，当vCE增加时，由于vBE变化较少（例如硅管的vBE一般为0.7V左右），故vCB（集电结反向偏压）随之增加。vCB的增加使集电结的空间电荷区的宽度增加，致使基区有效宽度减小，这样在基区内载流子的复合机会减少，使电流放大系数增大，在iB不变的情况下，iC将随vCE增大，特性曲线向上倾斜，这种现象称为基区宽度调制效应。
对于锗BJT，其输入特性与硅管相比，在较小的
值下，就可达到较大的iB值。
值一般为0.2V左右；其输出特性，初始上升部分较陡，集电极-发射极间反向饱和电流ICEO值较大。