bjt特性曲线是什么?BJT特性曲线图
1. 输入特性曲线(以共射极放大电路为例)
iB=f (vBE)½ vCE=常数
(1) 当vCE=0V时,相当于C和E短接,表现为PN结的正向伏安特性曲线。
(2) 当vCE≥1V时, vCB= vCE - vBE>0,集电结已进入反偏状态,开始收集电子,基区复合减少,同样的vBE下IB减小,特性曲线右移。
(3) 输入特性曲线的三个部分
①死区
死区电压:硅管0.5V,锗管0.1V
②非线性区
③线性区
IB在很大范围内变化,VBE基本不变(恒压)。VBE值:硅管约0.7V,锗管约0.2V。
2. 输出特性曲线(以共射极放大电路为例)
iC=f (vCE)½ iB=常数
输出特性曲线的三个区域
饱和区:iC明显受vCE控制的区域,该区域内,一般vCE<0.7V(硅管)。此时,发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。
放大区:iC平行于vCE轴的区域,曲线基本平行等距。此时,发射结正偏,集电结反偏。
截止区:iC接近零的区域,即iB=0的曲线的下方。此时,发射结反偏或正向电压小于死区电压。