bjt特性曲线是什么?BJT特性曲线图

1. 输入特性曲线(以共射极放大电路为例)

iB=f (vBE)½ vCE=常数

(1) 当vCE=0V时,相当于C和E短接,表现为PN结的正向伏安特性曲线。

(2) 当vCE≥1V时, vCB= vCE - vBE>0,集电结已进入反偏状态,开始收集电子,基区复合减少,同样的vBE下IB减小,特性曲线右移。

bjt特性曲线是什么?BJT特性曲线图

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(3) 输入特性曲线的三个部分

bjt特性曲线是什么?BJT特性曲线图

①死区

死区电压:硅管0.5V,锗管0.1V

②非线性区

③线性区

IB在很大范围内变化,VBE基本不变(恒压)。VBE值:硅管约0.7V,锗管约0.2V。

2. 输出特性曲线(以共射极放大电路为例)

iC=f (vCE)½ iB=常数

bjt特性曲线是什么?BJT特性曲线图

输出特性曲线的三个区域

饱和区:iC明显受vCE控制的区域,该区域内,一般vCE<0.7V(硅管)。此时,发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。

放大区:iC平行于vCE轴的区域,曲线基本平行等距。此时,发射结正偏,集电结反偏。

截止区:iC接近零的区域,即iB=0的曲线的下方。此时,发射结反偏或正向电压小于死区电压。

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