电子技术基础学习要点总结
1.半导体的主要特性：掺杂性，热敏性，光电性。
2.P型和N型半导体的区别：P型半导体掺杂三价元素（空穴），N型半导体掺杂五价元素（电子）
3.二极管结构：阳极（P）阴极（N）PN结（中间）
4.二极管基本特性，单向导电性（正向电压导通，反向电压截止）
5.什么是正偏和反偏：二极管阳极接电源“+”，阴极接电源“—”。（正偏）反偏对调电源“+”，“—”
6.二极管特性曲线
7.正向导通区和死去，反向截止，反向击穿界线
硅：0.5~0.7（正向导通）。0~0.5（死区）。0~—VBR（反向截止区），小于—VBR（反向击穿区）
锗：0.2~0.3（正向导通）。0~0.2（死区）。0~—VBR（反向截止去），小于—VBR（反向击穿区）
8.死区电压导通大小：硅：0.5V。锗：0.2V
9.二极管主要参数：最大整流电流（IFM），最高工作频率（fM），最高反向工作电压（VRM），反向饱和电流（IR）
10.特殊二极管：稳压二极管（齐纳二极管），变容二极管，发光二极管，光电二极管
11.稳压二极管的击穿特性及应用
稳压二极管工作在反向击穿区域时，利用其陡峭的反向击穿特性在电路中起稳压电路的作用。
12.光电二极管和发光二极管的区别
光电二极管是光能转化成电能。发光二极管是电能转化为光能。
13.三极管的三区，二结，三极
三区：发射区，基区，集电区。二结：发射结，集电结。三极：发射极，基极，集电极。
14.三级管的分类
按半导体制造材料不同分为硅管和锗管。
按三极管内部基本结构不同，分为：NPN型和PNP型。
按工作频率不同，可分为高频管和低频管。
按功率不同，分为：小功率管和大功率管。
按用途不同，分为：普通放大三极管和开关三极管。
15.三极管工作状态及条件
截止区：发射结反偏或零偏，集电结反偏。
放大区：发射结正偏，集电结反偏。
饱和区：发射结和集电结都处于正偏。
16.三极管的输出特性曲线
17.桥式整流电路，三极管的基本放大电路
18.共射极放大电路中的元件的作用
V——三极管，起电流放大作用。
+Vcc——直流供电电源，为电路提供工作电压和电流
Ｒb——基极偏置电阻，电源Ｖcc通过Ｒb向基极提供合适的偏置电流ＩＢ。
Ｃ１——输入耦合电容，耦合输入交流信号Ｕi，并起隔离直流的作用。
Ｃ２——输入耦合电容，耦合输出交流信号Ｕo，并起隔离直流的作用。
Ｒc——集电极负载电阻，电源Ｖcc通过Ｒc为集电极供电，另一个作用是将放大的输出电流ic转换为放大的电压输出。
19.三极管的主要参数
(1)直流参数：直流电放大系统hFE，集一基反向饱和电流ICBO,集一射反向饱和电流ICEO
(2)交流参数：交流电流放大系数hfe，共发射极特征频率fT。
(3)极限参数：集电极最大允许电流Icm，集电极最大允许耗散功率Pcm，集一基反向击穿电压VCEO
20.场效应管的结构
它是用一块杂质浓度较低的P型硅片作衬底，B为衬底引出线。在硅片上面扩散两个高浓度N型区，各用金属线引出电极，分别称为源极S和漏极d，在硅片表面生成一层薄薄的二氧化硅绝缘层，绝缘层上再制作一层铝金属膜作为栅极g。
21.场效应管是由一块杂质浓度较低的P型硅片作衬底，B为衬底引线。在硅片上面扩散两个高浓度N型区，各用金属引线引出电极，分别称为源极s和漏极d。
22.三极管控制电流、场效应管控制电压。
23.它具有输出阻抗高、噪声低、热稳定性好、耗电少等特点。
24.按结构不同分为结型和绝缘栅型
25.共发射极放大电路的电压、电流、功率放大倍数都较大，所以广泛应用在多级放大电器的中间放大级。
共集电极放大电路只有电流放大作用，无电压放大作用，它的输入电阻大，输出电阻小，常用来实现阻抗匹配或作为缓冲电路。
共基极放大电路的主要特点是频率特性好，所以多用作高频放大器、高频振荡器及作为宽带放大器。
26.静态工作点是指放大电路中没有输入交流信号时，三极管的各极直流电压和直流电流。
27.产生饱和失真的原因：IBQ偏大时，三极管工作在饱和临界点附近，当输入信号正半周幅度较大时三极管进入饱和区，iB增大无法使ic相应增大，于是造成iC的正半周、Vo的负半周出现切割失真，即饱和失真。
产生截止失真的原因是：IBQ偏小时，静态工作点偏低。三极管工作点。三极管工作在截止区附近，在输入电压vi的负半周是，三极管的发射结将在一段时间处于反向偏置，造成ic负半周、vo的正半周相应的波顶被削去。
28.放大倍数、输入电阻、输出电阻
29.阻容耦合 变压器耦合 直接耦合
30.电压放大倍数Au 电流放大倍数Ai 功率放大倍数Ap