今天小编要和大家分享的是ic集成电路特点 ic集成电路应用，接下来我将从ic集成电路特点，ic集成电路应用，ic集成电路分类，ic集成电路的封装种类，ic集成电路发展简史，ic集成电路的好坏判别方法，ic集成电路市场发展，这几个方面来介绍。
集成电路（integrated circuit，港台称之为积体电路）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，这样，整个电路的体积大大缩小，且引出线和焊接点的数目也大为减少，从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。 它在电路中用字母“IC”（也有用文字符号“N”等）表示。
ic集成电路特点
具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。
ic集成电路应用
ic集成电路不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。
ic集成电路分类
一、集成电路按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间边疆变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等），其输入信号和输出信号成比例关系。数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如VCD、DVD重放的音频信号和视频信号）。二、按集成度高低不同，可分为小规模、中规模、大规模及超大规模集成电路四类。对模拟集成电路，由于工艺要求较高、电路又较复杂，所以一般认为集成50个以下元器件为小规模集成电路，集成50－100个元器件为中规模集成电路，集成100个以上的元器件为大规模集成电路。对数字集成电路，一般认为集成1～10等效门／片或10～100个元件／片为小规模集成电路，集成10～100个等效门／片或100～1000元件／片为中规模集成电路，集成100～10,000个等效门／片或1000～100,000个元件／片为大规模集成电路，集成10,000以上个等效门／片或100,000以上个元件／片为超大规模集成电路。三、按其制作工艺不同，可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件并具有某种电路功能的集成电路；膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上，以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件。无源元件的数值范围可以作得很宽，精度可以作得很高。但目前的技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件，因而使膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中，多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件，使之构成一个整体，这便是混合集成电路。根据膜的厚薄不同，膜集成电路又分为厚膜集成电路（膜厚为1μm～10μm）和薄膜集成电路（膜厚为1μm以下）两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。四、按导电类型不同，分为双极型集成电路和单极型集成电路两类。双极型集成电路频率特性好，但功耗较大，而且制作工艺复杂，绝大多数模拟集成电路以及数字集成电路中的TTL、ECL、HTL、LSTTL、STTL型属于这一类。单极型集成电路工作速度低，但输人阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规模集成，其主要产品为MOS型集成电路。MOS电路又分为NMOS、pMOS、CMOS型。（1）NMOS集成电路是在半导体硅片上，以N型沟道MOS器件构成的集成电路；参加导电的是电子。（2）pMOS型是在半导体硅片上，以p型沟道MOS器件构成的集成电路；参加导电的是空穴。（3）CMOS型是由NMOS晶体管和pMOS晶体管互补构成的集成电路称为互补型MOS集成电路，简写成CMOS集成电路。五、按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。1.电视机用集成电路包括行、场扫描集成电路、中放集成电路、伴音集成电路、彩色解码集成电路、AV/TV转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、丽音解码集成电路、画中画处理集成电路、微处理器（CpU）集成电路、存储器集成电路等。2.音响用集成电路包括AM/FM高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电路、环绕声处理集成电路、电平驱动集成电路，电子音量控制集成电路、延时混响集成电路、电子开关集成电路等。3.影碟机用集成电路有系统控制集成电路、视频编码集成电路、MpEG解码集成电路、音频信号处理集成电路、音响效果集成电路、RF信号处理集成电路、数字信号处理集成电路、伺服集成电路、电动机驱动集成电路等。4.录像机用集成电路有系统控制集成电路、伺服集成电路、驱动集成电路、音频处理集成电路、视频处理集成电路。六、按应用领域分可分为标准通用集成电路和专用集成电路。七、按外形分可分为圆形(金属外壳晶体管封装型,一般适合用于大功率)、扁平型(稳定性好,体积小)和双列直插型。
ic集成电路的封装种类
1、BGABGA的全称是BallGridArray（球栅阵列结构的pCB），它是集成电路采用有机载板的一种封装法。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(pAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可做得比QFp(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFp为40mm见方。而且BGA不用担心QFp那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMpAC，而把灌封方法密封的封装称为GpAC(见OMpAC和GpAC)。优点：①封装面积减少；②功能加大，引脚数目增多；③pCB板溶焊时能自我居中，易上锡；④可靠性高；⑤电性能好，整体成本低。2、BQFp(quadflatpackagewithbumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFp封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFp)。3、C－(ceramic)表示陶瓷封装的记号。例如，CDIp表示的是陶瓷DIp。是在实际中经常使用的记号。4、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSp(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EpROM以及内部带有EpROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIp－G(G即玻璃密封的意思)。5、Cerquad表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFp，用于封装DSp等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EpROM电路。散热性比塑料QFp好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFp高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EpROM以及带有EpROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。6、COB(chipboard)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。7、DFp(dualflatpackage)双侧引脚扁平封装。是SOp的别称(见SOp)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。8、DIC(dualin-lineceramicpackage)陶瓷DIp(含玻璃密封)的别称(见DIp).9、DIL(dualin-line)DIp的别称(见DIp)。欧洲半导体厂家多用此名称。10、DIp(dualin-linepackage)双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIp是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinnyDIp和slimDIp(窄体型DIp)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIp。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIp也称为cerdip(见cerdip)。11、DSO(dualsmallout-lint)双侧引脚小外形封装。SOp的别称(见SOp)。部分半导体厂家采用此名称。12、DICp(dualtapecarrierpackage)双侧引脚带载封装。TCp(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICp命名为DTp。13、DIp(dualtapecarrierpackage)日本电子机械工业会标准对DTCp的命名(见DTCp)。14、Fp(flatpackage)扁平封装。表面贴装型封装之一。QFp或SOp(见QFp和SOp)的别称。部分半导体厂家采用此名称。15、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。16、FQFp(finepitchquadflatpackage)小引脚中心距QFp。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFp(见QFp)。部分导导体厂家采用此名称。17、CpAC(globetoppadarraycarrier)美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。18、CQFp(quadfiatpackagewithguardring)带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFp之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。19、H-(withheatsink)表示带散热器的标记。例如，HSOp表示带散热器的SOp。20、pingridarray(surfacemounttype)表面贴装型pGA。通常pGA为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型pGA在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊pGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型pGA小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。21、JLCC(J-leadedchipcarrier)J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。22、LCC(Leadlesschipcarrier)无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN－C(见QFN)。23、LGA(landgridarray)触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑LSI电路。LGA与QFp相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。24、LOC(leadonchip)芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。25、LQFp(lowprofilequadflatpackage)薄型QFp。指封装本体厚度为1.4mm的QFp，是日本电子机械工业会根据制定的新QFp外形规格所用的名称。26、L－QUAD陶瓷QFp之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。27、MCM(multi-chipmodule)多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C和MCM－D三大类。MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。28、MFp(miniflatpackage)小形扁平封装。塑料SOp或SSOp的别称(见SOp和SSOp)。部分半导体厂家采用的名称。29、MQFp(metricquadflatpackage)按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFp进行的一种分类。指引脚中心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm的标准QFp(见QFp)。30、MQUAD(metalquad)美国Olin公司开发的一种QFp封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W～2.8W的功率。日本新光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。31、MSp(minisquarepackage)QFI的别称(见QFI)，在开发初期多称为MSp。QFI是日本电子机械工业会规定的名称。32、OpMAC(overmoldedpadarraycarrier)模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola公司对模压树脂密封BGA采用的名称(见BGA)。33、p－(plastic)表示塑料封装的记号。如pDIp表示塑料DIp。34、pAC(padarraycarrier)凸点陈列载体，BGA的别称(见BGA)。35、pCLp(printedcircuitboardleadlesspackage)印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引脚中心距有0.55mm和0.4mm两种规格。目前正处于开发阶段。36、pFpF(plasticflatpackage)塑料扁平封装。塑料QFp的别称(见QFp)。部分LSI厂家采用的名称。37、pGA(pingridarray)陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷pGA，用于高速大规模逻辑LSI电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64到447左右。了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256引脚的塑料pGA。另外，还有一种引脚中心距为1.27mm的短引脚表面贴装型pGA(碰焊pGA)。(见表面贴装型pGA)。38、piggyback驮载封装。指配有插座的陶瓷封装，形关与DIp、QFp、QFN相似。在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。例如，将EpROM插入插座进行调试。这种封装基本上都是定制品，市场上不怎么流通。39、pLCC(plasticleadedchipcarrier)带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形，是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k位DRAM和256kDRAM中采用，现在已经普及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm，引脚数从18到84。J形引脚不易变形，比QFp容易操作，但焊接后的外观检查较为困难。pLCC与LCC(也称QFN)相似。以前，两者的区别仅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但现在已经出现用陶瓷制作的J形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、pCLp、p－LCC等)，已经无法分辨。为此，日本电子机械工业会于1988年决定，把从四侧引出J形引脚的封装称为QFJ，把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ和QFN)。40、p－LCC(plasticteadlesschipcarrier)(plasticleadedchipcurrier)有时候是塑料QFJ的别称，有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ和QFN)。部分LSI厂家用pLCC表示带引线封装，用p－LCC表示无引线封装，以示区别。41、QFH(quadflathighpackage)四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFp的一种，为了防止封装本体断裂，QFp本体制作得较厚(见QFp)。部分半导体厂家采用的名称。42、QFI(quadflatI-leadedpackgac)四侧I形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈I字。也称为MSp(见MSp)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分，贴装占有面积小于QFp。日立制作所为视频模拟IC开发并使用了这种封装。此外，日本的Motorola公司的pLLIC也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm，引脚数从18于68。43、QFJ(quadflatJ-leadedpackage)四侧J形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈J字形。是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷两种。塑料QFJ多数情况称为pLCC(见pLCC)，用于微机、门陈列、DRAM、ASSp、OTp等电路。引脚数从18至84。陶瓷QFJ也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。带窗口的封装用于紫外线擦除型EpROM以及带有EpROM的微机芯片电路。引脚数从32至84。44、QFN(quadflatnon-leadedpackage)四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。QFN是日本电子机械工业会规定的名称。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFp小，高度比QFp低。但是，当印刷基板与封装之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解。因此电极触点难于作到QFp的引脚那样多，一般从14到100左右。材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。塑料QFN是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm外，还有0.65mm和0.5mm两种。这种封装也称为塑料LCC、pCLC、p－LCC等。45、QFp(quadflatpackage)四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一，引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看，塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时，多数情况为塑料QFp。塑料QFp是最普及的多引脚LSI封装。不仅用于微处理器，门陈列等数字逻辑LSI电路，而且也用于VTR信号处理、音响信号处理等模拟LSI电路。引脚中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多种规格。0.65mm中心距规格中最多引脚数为304。日本将引脚中心距小于0.65mm的QFp称为QFp(Fp)。但现在日本电子机械工业会对QFp的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别，而是根据封装本体厚度分为QFp(2.0mm～3.6mm厚)、LQFp(1.4mm厚)和TQFp(1.0mm厚)三种。另外，有的LSI厂家把引脚中心距为0.5mm的QFp专门称为收缩型QFp或SQFp、VQFp。但有的厂家把引脚中心距为0.65mm及0.4mm的QFp也称为SQFp，至使名称稍有一些混乱。QFp的缺点是，当引脚中心距小于0.65mm时，引脚容易弯曲。为了防止引脚变形，现已出现了几种改进的QFp品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFp(见BQFp)；带树脂保护环覆盖引脚前端的GQFp(见GQFp)；在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专用夹具里就可进行测试的TpQFp(见TpQFp)。在逻辑LSI方面，不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFp里。引脚中心距最小为0.4mm、引脚数最多为348的产品也已问世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFp(见Gerqad)。46、QFp(Fp)(QFpfinepitch)小中心距QFp。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm、0.3mm等小于0.65mm的QFp(见QFp)。47、QIC(quadin-lineceramicpackage)陶瓷QFp的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFp、Cerquad)。48、QIp(quadin-lineplasticpackage)塑料QFp的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFp)。49、QTCp(quadtapecarrierpackage)四侧引脚带载封装。TCp封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利用TAB技术的薄型封装(见TAB、TCp)。50、QTp(quadtapecarrierpackage)四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993年4月对QTCp所制定的外形规格所用的名称(见TCp)。51、QUIL(quadin-line)QUIp的别称(见QUIp)。52、QUIp(quadin-linepackage)四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出，每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚中心距1.27mm，当插入印刷基板时，插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板。是比标准DIp更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采用了些种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。53、SDIp(shrinkdualin-linepackage)收缩型DIp。插装型封装之一，形状与DIp相同，但引脚中心距(1.778mm)小于DIp(2.54mm)，因而得此称呼。引脚数从14到90。也有称为SH－DIp的。材料有陶瓷和塑料两种。54、SH－DIp(shrinkdualin-linepackage)同SDIp。部分半导体厂家采用的名称。55、SIL(singlein-line)SIp的别称(见SIp)。欧洲半导体厂家多采用SIL这个名称。56、SIMM(singlein-linememorymodule)单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插座的组件。标准SIMM有中心距为2.54mm的30电极和中心距为1.27mm的72电极两种规格。在印刷基板的单面或双面装有用SOJ封装的1兆位及4兆位DRAM的SIMM已经在个人计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30～40％的DRAM都装配在SIMM里。57、SIp(singlein-linepackage)单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。当装配到印刷基板上时封装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从2至23，多数为定制产品。封装的形状各异。也有的把形状与ZIp相同的封装称为SIp。58、SK－DIp(skinnydualin-linepackage)DIp的一种。指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm的窄体DIp。通常统称为DIp(见DIp)。59、SL－DIp(slimdualin-linepackage)DIp的一种。指宽度为10.16mm，引脚中心距为2.54mm的窄体DIp。通常统称为DIp。60、SMD(surfacemountdevices)表面贴装器件。偶而，有的半导体厂家把SOp归为SMD(见SOp)。SOp的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOp)。61、SOI(smallout-lineI-leadedpackage)I形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I字形，中心距1.27mm。贴装占有面积小于SOp。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引脚数26。62、SOIC(smallout-lineintegratedcircuit)SOp的别称(见SOp)。国外有许多半导体厂家采用此名称。63、SOJ(SmallOut-LineJ-Leadedpackage)J形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J字形，故此得名。通常为塑料制品，多数用于DRAM和SRAM等存储器LSI电路，但绝大部分是DRAM。用SOJ封装的DRAM器件很多都装配在SIMM上。引脚中心距1.27mm，引脚数从20至40(见SIMM)。64、SQL(SmallOut-LineL-leadedpackage)按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOp所采用的名称(见SOp)。65、SONF(SmallOut-LineNon-Fin)无散热片的SOp。与通常的SOp相同。为了在功率IC封装中表示无散热片的区别，有意增添了NF(non-fin)标记。部分半导体厂家采用的名称(见SOp)。66、SOp(smallOut-Linepackage)小外形封装。表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L字形)。材料有塑料和陶瓷两种。另外也叫SOL和DFp。SOp除了用于存储器LSI外，也广泛用于规模不太大的ASSp等电路。在输入输出端子不超过10～40的领域，SOp是普及最广的表面贴装封装。引脚中心距1.27mm，引脚数从8～44。另外，引脚中心距小于1.27mm的SOp也称为SSOp；装配高度不到1.27mm的SOp也称为TSOp(见SSOp、TSOp)。还有一种带有散热片的SOp。67、SOW(SmallOutlinepackage(Wide-Jype))宽体SOp。部分半导体厂家采用的名称。
ic集成电路发展简史
1.世界集成电路的发展历史1947年：贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑；1950年：结型晶体管诞生；1950年：ROhl和肖特莱发明了离子注入工艺；1951年：场效应晶体管发明；1956年：CSFuller发明了扩散工艺；1958年：仙童公司RobertNoyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；1960年：HHLoor和ECastellani发明了光刻工艺；1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管；1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95[%]以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺；1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍；1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）；1967年：应用材料公司（AppliedMaterials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司；1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现；1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明；1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802；1976年：16kbDRAM和4kbSRAM问世；1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临；1979年：Intel推出5MHz8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台pC；1981年：256kbDRAM和64kbCMOSSRAM问世；1984年：日本宣布推出1MbDRAM和256kbSRAM；1985年：80386微处理器问世，20MHz；1988年：16MDRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段；1989年：1MbDRAM进入市场；1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用0.8μm工艺；1992年：64M位随机存储器问世；1993年：66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μｍ工艺；1995年:pentiumpro,133MHz，采用0.6-0.35μｍ工艺；1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μｍ工艺；1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μｍ工艺，后采用0.18μm工艺；2000年:1GbRAM投放市场；2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μｍ工艺；2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μｍ工艺。2003年：奔腾4E系列推出，采用90nm工艺。2005年：intel酷睿2系列上市，采用65nm工艺。2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2E7/E8/E9上市。2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。2.我国集成电路的发展历史我国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了三个发展阶段：1965年-1978年：以计算机和军工配套为目标，以开发逻辑电路为主要产品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件；1978年-1990年：主要引进美国二手设备，改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时，以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化；1990年-2000年：以908工程、909工程为重点，以CAD为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设，为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展。
ic集成电路的好坏判别方法
一、不在路检测这种方法是在ic未焊入电路时进行的，一般情况下可用万用表测量各引脚对应于接地引脚之间的正、反向电阻值，并和完好的ic进行较。二、在路检测这是一种通过万用表检测ic各引脚在路（ic在电路中）直流电阻、对地交直流电压以及总工作电流的检测方法。这种方法克服了代换试验法需要有可代换ic的局限性和拆卸ic的麻烦，是检测ic最常用和实用的方法。1．直流工作电压测量这是一种在通电情况下，用万用表直流电压挡对直流供电电压、外围元件的工作电压进行测量；检测ic各引脚对地直流电压值，并与正常值相较，进而压缩故障范围，出损坏的元件。测量时要注意以下八点：(1)万用表要有足够大的内阻，少要大于被测电路电阻的10倍以上，以免造成较大的测量误差。(2)通常把各电位器旋到中间位置，如果是电视机，信号源要采用标准彩条信号发生器。(3)表笔或探头要采取防滑措施。因任何瞬间短路都容易损坏ic。可采取如下方法防止表笔滑动：取一段自行车用气门芯套在表笔尖上，并长出表笔尖约0.5ｍｍ左右，这既能使表笔尖良好地与被测试点接触，又能有效防止打滑，即使碰上邻近点也不会短路。(4)当测得某一引脚电压与正常值不符时，应根据该引脚电压对ic正常工作有无重要影响以及其他引脚电压的相应变化进行分析，能判断ic的好坏。(5)ic引脚电压会受外围元器件影响。当外围元器件发生漏电、短路、开路或变值时，或外围电路连接的是一个阻值可变的电位器，则电位器滑动臂所处的位置不同，都会使引脚电压发生变化。(6)若ic各引脚电压正常，则一般认为ic正常；若ic部分引脚电压异常，则应从偏离正常值最大处入手，检查外围元件有无故障，若无故障，则ic很可能损坏。(7)对于动态接收装置，如电视机，在有无信号时，ic各引脚电压是不同的。如发现引脚电压不该变化的反而变化大，该随信号大小和可调元件不同位置而变化的反而不变化，就可确定ic损坏。(8)对于多种工作方式的装置，如录像机，在不同工作方式下，ic各引脚电压也是不同的。2．交流工作电压测量法为了掌握ic交流信号的变化情况，可以用带有db插孔的万用表对ic的交流工作电压进行近似测量。检测时万用表置于交流电压挡，正表笔插入db插孔；对于无db插孔的万用表，需要在正表笔串接一只0.1～0.5μｆ隔直电容。该法适用于工作频率较低的ic，如电视机的视频放大级、场扫描电路等。由于这些电路的固有频率不同，波形不同，所以所测的数据是近似值，只能供参考。3．总电流测量法该法是通过检测ic电源进线的总电流，来判ic好坏的一种方法。由于ic内部绝大多数为直接耦合，ic损坏时（如某一个pN结击穿或开路）会引起后级饱和与截止，使总电流发生变化。所以通过测量总电流的方法可以判ic的好坏。也可用测量电源通路中电阻的电压降，用欧姆定律计算出总电流值。
ic集成电路市场发展
近几年，中国集成电路产业取得了飞速发展。中国集成电路产业已经成为全球半导体产业关注的焦点，即使在全球半导体产业陷入有史以来程度最严重的低迷阶段时，中国集成电路市场仍保持了两位数的年增长率，凭借巨大的市场需求、较低的生产成本、丰富的人力资源，以及经济的稳定发展和宽松的政策环境等众多优势条件，以京津唐地区、长江三角洲地区和珠江三角洲地区为代表的产业基地迅速发展壮大，制造业、设计业和封装业等集成电路产业各环节逐步完善。2006年中国集成电路市场销售额为4862.5亿元，同比增长27.8[%]。其中IC设计业年销售额为186.2亿元，比2005年增长49.8[%]。2007年中国集成电路产业规模达到1251.3亿元，同比增长24.3[%]，集成电路市场销售额为5623.7亿元，同比增长18.6[%]。而计算机类、消费类、网络通信类三大领域占中国集成电路市场的88.1[%]。目前，中国集成电路产业已经形成了IC设计、制造、封装测试三业及支撑配套业共同发展的较为完善的产业链格局，随着IC设计和芯片制造行业的迅猛发展，国内集成电路价值链格局继续改变，其总体趋势是设计业和芯片制造业所占比例迅速上升。
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