发光二极管二极管是什么
发光二极管二极管，全称发光二极管,，是一种需要将电能转化成为红外线的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。发光二极管的心脏是一个半导体的晶片，晶片的两端附在一个支架上，两端是负极，另一端相连电源的正极使整个晶片被环氧树脂封装起来。
半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。
当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推上P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是发光二极管闪烁的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料要求的。
它是一种通过掌控半导体LED的显示方式，用来表明文字、图形、图像、动画、行情、视频、视频信号等各种信息的表明屏幕。
发光二极管二极管的闪烁原理
LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体做成的，其核心是PN结。因此它具备一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、穿透特性。此外，在一定条件下，它还具备闪烁特性。在正向电压下，电子由N区流经P区，空穴由P区流经N区。转入对方区域的少数载流子(少子)一部分与大多载流子(多子)复合而闪烁。
发光二极管二极管的闪烁特点
LED与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具备单向导电性。当给LED再加正向电压后，从P区流经到N区的空穴和由N区流经到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。有所不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态有所不同。当电子和空穴复合时释放出来的能量多少有所不同，释放出来的能量越多，则发出的光的波长越短。常见的是发红光、绿光或黄光的二极管。
LED的反向穿透电压约5伏。它的正向伏安特性曲线很陡，使用时必需串联限流电阻以掌控通过管子的电流。限流电阻R可用下式计算：
R=(E-UF)/IF
式中E为电源电压，UF为发光二极管的正向压降，IF为发光二极管的一般工作电流。
LED与小白炽灯泡和氖灯比起，LED的特点是：工作电压极低(有的仅一点几伏);工作电流较小(有的仅零点几毫安才可闪烁);抗冲击和抗震性能好，可靠性高，寿命长;通过调制通过的电流强弱可以便利地调制闪烁的强弱。由于有这些特点，LED在一些光电掌控电子设备中用于光源，在许多电子设备中用于信号显示器。把它的管心制成条状，用7条条状的发光管组成7段式半导体数码管，每个数码管可表明0～9十个数目字。
发光二极管二极管的参数意义
1、极限参数的意义
(1)容许功耗Pm:容许加于发光二极管两侧正向直流电压与流到它的电流之积的最小值。多达此值，发光二极管发热、损毁。
(2)最大正向直流电流IFm：容许加的最大的正向直流电流。多达此值可损毁二极管。
(3)最大反向电压VRm：所容许加的最大反向电压。多达此值，LED有可能被穿透损毁。
(4)工作环境topm:LED可正常工作的环境温度范围。少于或略高于此温度范围，LED将无法正常工作，效率大大降低。
2、电参数的意义
(1)光谱产于和峰值波长：某一个LED所发之光并非单一波长，其波长大体按图2所示。由图可见，该发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大，该波长为峰值波长。
(2)发光强度III：LED的发光强度一般来说是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时，则闪烁1坎德拉(符号为cd)。由于一般发光二极管的闪烁二强度小，所以发光强度常见坎德拉(mcd)作单位。
(3)光谱半宽度Δλ:它回应发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔.
(4)半值角θ1/2和视角：θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与闪烁轴向(法向)的夹角。半值角的2倍为视角(或称半功率角)。
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