今天小编要和大家分享的是电源管理,存储电路,单片机相关信息，接下来我将从宽带阻抗测量仪电源管理与存储电路设计，单片机存储器结构示意图这几个方面来介绍。
单片机存储器结构示意图
微处理器电路主要完成通信、数据处理、功能控制、人机交互等工作。主要由TMS320F2812、晶体振荡器、电源控制、WATCHDOG等器件组成。其中晶体振荡器、电源控制和WATCHDOG是TMS320F2812能够正常运行的保证；DSP芯片配合完成各种控制任务。
电源管理电路设计
TMS320F2812的工作电压分为两组，一组是供CPU内核使用的1.8V的VCCCORE，设计上选用TPS76718电源管理芯片，将+5V的电压变换为+1.8V；另一组是供I/O口使用的3.3V的VCCIO，选用TI公司的TPS76733电源管理芯片将+5V电压变为+3.3V。电源管理电路图如图5-3所示。
在设计DSP芯片与其它外围芯片的接口时，如果外围芯片的工作电压也是3.3V，那么就可以直接连接。但是现在许多外围芯片的工作电压都是5V，为了使3.3V芯片与这些5V供电芯片可靠接口，应根据各种电平的转换标准来设计。当电平转换标准不一致或者由于承受电压的限制而不能直接相接时，需要在两者之间增加一个缓冲器件。本论文选用TI公司的74ALVC164245作为缓冲器件来设计两者的接口。它采用3.3V和5V双电压供电。除上述电路说明外，其它连接主要有：对一些未使用的输入引脚接10k或20k上拉电阻或下拉电阻使其电平状态稳定；对要进行功能切换的引脚加跳线以备选择。
外部扩展存储器电路设计
TMS320F2812为哈佛结构的DSP，在逻辑上有4M×16位程序空间和4M×16位数据空间，但物理上已将程序空间和数据空间统一为一个4M×16位的存储空间。外部存储器接口包括：19位地址线，16位数据线、3个片选及读/写控制线。这3个片选线映射到5个外部存储区域，Zone0、1、2、6和7。这5个存储区域可以分别设置为不同的等待周期。其中Zone 0存储区域：0X002000-0X003FFF，8K×16位；Zone 1存储区域：0X004000-0X005FFF，8K×16位；Zone 2存储区域：0X080000-0X0FFFFF，512K×16位；Zone 6存储区域：0X100000-0X17FFFF，512K×16位；Zone 7存储区域：0X3FC00-0X3FFFFF，16K×16位。
为满足系统扩展的需要，系统外扩有8M的FLASH和8M的高速SRAM。外扩FLASH芯片采用SST公司的SST39VF800A 512K×16多用途FLASH，可用来存储数据和程序。FLASH被映射到F2812的Zone 2存储空间中，地址空间为0X080000-0X0FFFFF。SRAM芯片采用IS61LV51216高速、8M SRAM。SRAM映射到F2812的Zone 6存储空间中，地址空间为0X100000-0X17FFFF。外扩存储器与TMS320F2812的XINTF接口电路如图5-4所示。
具体的使用情况是：
片内SARAM Ml存放扫描按键值范围0x000400-0x00040A；片内SARMA L0存放AD转换后的采样值范围0x008000-0x0080FF；片内FLASH存放程序代码范围0x3D8000-0x3F7FFF；片内FLASH存放计算后的测量值范围0x080100-0x0FFFFF。
关于电源管理,存储电路,单片机就介绍完了，您有什么想法可以联系小编。