可控硅的移相触发是利用电容移相功能实现的典型应用。
采用RC移相电路触发可控硅是一种非常通用的调压电路。
下图是电路图：
交流市电一路通过负载X1连接到可控硅，另一种连接到电阻R1，以及C1，同时，连接到DB3触发可控硅。
DB3得到的电压是经过电阻R1，C1移相，施加到负载的电压以及DB3上的电压相位波形图如下:
蓝色波形为施加到负载上的交流市电波形，红色为经过移相网络之后施加在DB3上的波形，正是因为有了电容了移相作用，两个波形之间存在相位差，而DB3在施加在其上的电压达到+/-32V左右将被击穿，从而触发可控硅导通。
如上图，黑色斜线区域的电压为通过可控硅施加在X1上的电压。
而这个平均电压与黑色斜线区域的面积成正比，面积越大，平均电压越大。
而该面积又与红色控制电压的移相大小正反比。
即移相越大，面积越小。
所以通过调节可调电阻R1的大小，我们可以调节通过可控硅的输出电压的大小。
根据C1两端电压的与交流市电的相位差=arctan(1/R1/C1/w)，得到，R1越大，相位差越小。
所以R1越大，输出电压越大，R1越小，输出电压越小。
通过可控硅的移相触发实现调压，调整了控制信号与交流市电之间的相位差。另外还有通过电容移相功能调整功率因数的应用，该应该调整的是负载电压以及负载电流之间的相位差。