3.3 混频单元的设计
混频器选择hittite公司生产的混频器芯片HMC329。
混频器的选择主要考虑动态范围、本振频率、插入损耗和本振射频隔离度等指标。其中射频隔离、动态范围等指标又与各端口的匹配状态密切相关。插入损耗尽量小。综合各项指标，选择双平衡混频器较为合适。双平衡混频器有几个特点：混频组合分量少，比单平衡混频器组合谐波成分要少一半，既降低了谐波干扰也改善了谐波能量损耗；隔离度好，可以减小信号通路上的本振泄漏；动态范围大，在射频输入功率较大时也能工作在线性状态。
3.4 中频单元的设计
中频单元由中频滤波器和中频放大器组成。中频滤波器为低通滤波器，主要功能是滤掉中频端口的高频信号。中频滤波器的仿真结果如下：
图2所示为电路板仿真结果，已经考虑了微带线的分布效应。）
图2 中频滤波器（左）、镜像抑制滤波器（右）的仿真结果
根据总体增益的分配，合理选择中频放大器的增益，同时兼顾动态范围等，考虑到可靠性、小型化等因素，最终选择了陶瓷封装的单片放大器。;
4 电路板及腔体设计
4.1 接头的选择
射频接头选择M/A-com公司生产的K型头，其工作频率可以到40GHz。
4.2 介质片的选择
由于工作频率较高，介质基片的选择也是非常重要的。在这个组件中，选择的介质基片是罗杰斯5880，基片厚度为0.005”，有利于减少散射和辐射损耗。介电常数εr是2.2 ±0.02，可以帮助减少电路板加工容差变化对图形分布参数的影响。同时，该基片的损耗角正切值也非常小，仅为0.0009，有利于减少损耗。